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台积电3nm制程目前良率最高63%,尚不及4nm工艺

时间:2023-04-19 15:11:44     来源:IT之家    阅读量:6658   

,据外媒报道,台积电仍采用鳍式场效应晶体管架构的 3nm 制程工艺,在去年的 12 月 29 日正式开始商业化生产,量产之后产能在不断提升。

对于台积电量产已一个季度的 3nm 制程工艺,有外媒在报道中预计目前的良品率为 63% 或更低。

就外媒在报道中提到的良品率而言,台积电 3nm 制程工艺目前的良品率,同更早投产的 4nm 还是有差距。外媒在报道中表示,台积电 4nm 制程工艺的良品率目前预计在 80% 左右。

虽然目前台积电 3nm 制程工艺的良品率,预计同 4nm 还有差距,但随着量产时间的延长,良品率还会继续提升,未来有望达到甚至超过 4nm 工艺的水平。

全球目前有两家晶圆代工商已量产 3nm 制程工艺,另一家是三星电子。三星电子的 3nm 制程工艺在去年的 6 月 30 日量产,较台积电早近半年,所代工的首批晶圆,也已在去年的 7 月 25 日发货。

不过外媒在报道中,并未提及三星电子 3nm 制程工艺目前的良品率,但他们表示三星电子 4nm 制程工艺的良品率有明显提升,最少达到了 70%,已接近台积电 4nm 制程工艺的良品率。

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